双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法
文献类型：专利
| 作者 | 姚丹阳; 张锦川; 闫方亮; 刘俊岐; 王利军; 刘峰奇; 王占国 |
| 发表日期 | 2013-05-08 |
| 专利号 | CN103091778A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法 |
| 英文摘要 | 一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。 |
| 公开日期 | 2013-05-08 |
| 申请日期 | 2013-01-25 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92032]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚丹阳,张锦川,闫方亮,等. 双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法. CN103091778A. 2013-05-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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