基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华; 刘磊 ; 张斯日古楞; 渠红伟; 王海玲
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| 发表日期 | 2013-09-25 |
| 专利号 | CN103326243A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型限制层；形成于该N型限制层之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层；其中，对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀或腐蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区，位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明，通过对注入载流子分布的调制实现基模激射，同时有效地改善水平方向的远场发散角，获得高亮度激光输出。 |
| 公开日期 | 2013-09-25 |
| 申请日期 | 2013-03-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92034]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘磊,张斯日古楞,等. 基横模低水平发散角一维啁啾光子晶体边发射激光器阵列. CN103326243A. 2013-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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