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一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法

文献类型:专利

作者苏建; 朱振; 李沛旭; 于果蕾; 徐现刚
发表日期2015-11-18
专利号CN105071220A
著作权人山东华光光电子股份有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法
英文摘要本发明涉及一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法,包括:在激光器芯片的N面电极制备孔;将处理后的激光器芯片放置在金属板上,所述激光器芯片的含孔一面与所述金属板背离设置;采用808nm波长的激光对所述激光器芯片进行照射;将处理后的激光器芯片进行烘烤,温度范围120-150℃,烘烤1-2小时;对激光器芯片封装测试,完成制备。本发明所述消除波长双峰的808nm激光器,其结构简易,制作过程简单,通过在所述激光器芯片的N面电极上制备孔、后续采用激光照射和烘烤处理,进而减小激光器芯片受内部压应力影响,使激光器波长双峰减少,大大提高了激光器生产合格率。
公开日期2015-11-18
申请日期2015-08-28
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92048]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
苏建,朱振,李沛旭,等. 一种消除波长双峰的808nm激光器及其制备方法. CN105071220A. 2015-11-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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