带有多量子阱结构的光电子半导体芯片
文献类型：专利
| 作者 | 彼得·施陶斯; 马蒂亚斯·彼得; 亚历山大·沃尔特 |
| 发表日期 | 2010-08-18 |
| 专利号 | CN101809767A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 带有多量子阱结构的光电子半导体芯片 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。 |
| 公开日期 | 2010-08-18 |
| 申请日期 | 2008-09-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彼得·施陶斯,马蒂亚斯·彼得,亚历山大·沃尔特. 带有多量子阱结构的光电子半导体芯片. CN101809767A. 2010-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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