半導體雷射元件
文献类型：专利
| 作者 | 松村拓明; 小谷靖長 |
| 发表日期 | 2006-07-21 |
| 专利号 | TWI258906B |
| 著作权人 | 日亞化學工業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射元件 |
| 英文摘要 | 一種半導體雷射器，其在基板(101)的主面上備有第一導電型半導體層(200)、活性層(205)、第二導電型半導體層(210)、第二導電型半導體層(210)中使條狀區域內電流狹窄而形成的波導通路區域(10)及設於對於波導通路區域(10)大致垂直的端面上的共振面(20)。在接近共振面(20)的區域中，離開波導通路區域(10)，在第二導電型半導體層(210)上形成多個凹部(110)。 |
| 公开日期 | 2006-07-21 |
| 申请日期 | 2005-03-04 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92053]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亞化學工業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松村拓明,小谷靖長. 半導體雷射元件. TWI258906B. 2006-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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