一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置
文献类型：专利
| 作者 | 王俊; 马星; 成卓; 胡海洋; 杨泽园; 樊宜斌; 张然; 黄永清; 任晓敏 |
| 发表日期 | 2017-08-08 |
| 专利号 | CN107026390A |
| 著作权人 | 北京邮电大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、在单晶GaAs衬底一侧依次外延生长缓冲层、限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和欧姆接触层；S2、在欧姆接触层上制作图形掩膜层，并以图形掩膜层为掩膜制作微腔；S3、在微腔表面沉积氮化硅薄膜，并在微腔上制作侧向介电限制层，在微腔顶层制作二氧化硅绝缘层；S4、在二氧化硅绝缘层上制作p电极，在GaAs衬底另一侧制作n电极。通过在GaAs衬底上外延生长InP材料，实现GaAs基55微米的发光波段，并采用微腔激光器的结构,具备高品质因子、低阈值电流、便于集成、制备工艺简单等优势。 |
| 公开日期 | 2017-08-08 |
| 申请日期 | 2017-03-15 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92054]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,马星,成卓,等. 一种55微米波长GaAs基微腔激光器制备方法及装置. CN107026390A. 2017-08-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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