带光检测器的半导体光放大器及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 李定锡; 吴润济; 黄星泽 |
| 发表日期 | 2005-02-23 |
| 专利号 | CN1584652A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 带光检测器的半导体光放大器及制作方法 |
| 英文摘要 | 一种带光检测器的增益箝制半导体光放大器，所述光检测器集成于单晶体衬底上，能够检测光放大器输入/输出端的光强度。该半导体光放大器包括：第一导电半导体衬底；形成于半导体衬底上的半导体光放大器，具有在水平方向上产生激光的结构；以及第一和第二光检测器，分别形成于距离半导体光放大器的输入侧和输出侧有一定水平间隔的那部分半导体衬底上，以测量所述半导体光放大器的输入信号和输出信号的强度。 |
| 公开日期 | 2005-02-23 |
| 申请日期 | 2004-03-02 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92058]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李定锡,吴润济,黄星泽. 带光检测器的半导体光放大器及制作方法. CN1584652A. 2005-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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