外延晶片、发光元件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 今野泰一郎 |
| 发表日期 | 2011-04-13 |
| 专利号 | CN102013451A |
| 著作权人 | 日立金属株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 外延晶片、发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种外延晶片、发光元件、制造外延晶片的方法及制造发光元件的方法。发光元件具有高的输出及低的前向电压，并且在不增加制造成本的情况下能够制造发光元件。外延晶片形成具有发光部、在半导体衬底和发光部之间设置的反射部以及具有第一和第二电流扩散层的电流扩散层，其中，反射部具有包括第一和第二半导体层的多对成对的层，其中，第一半导体层具有由公式(1)限定的厚度TA，第二半导体层具有由公式(2)限定的厚度TB，并且第二电流扩散层具有高的载流子浓度或高的杂质浓度，并且表面上设置有凸凹部。 |
| 公开日期 | 2011-04-13 |
| 申请日期 | 2010-07-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92071]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立金属株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今野泰一郎. 外延晶片、发光元件及其制造方法. CN102013451A. 2011-04-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。