氮化物半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松山隆之; 小野村正明 |
| 发表日期 | 2007-04-18 |
| 专利号 | CN1949606A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种氮化物半导体发光器件，其特征在于：具备氮化镓衬底和在上述氮化镓衬底上设置的包含发光层的氮化物半导体的多层膜，上述氮化镓衬底和上述多层膜分别构成由同一劈开面形成的激光出射侧端面和由同一劈开面形成的激光反射侧端面，在上述激光出射侧端面上设置了包含第1氮化硅层的第1膜，在上述激光反射侧端面上设置了包含第2氮化硅层和交替地层叠在上述第2氮化硅层上设置的氧化物层与氮化硅层的层叠膜的第2膜。 |
| 公开日期 | 2007-04-18 |
| 申请日期 | 2006-10-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92072]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松山隆之,小野村正明. 氮化物半导体发光器件及其制造方法. CN1949606A. 2007-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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