采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法
文献类型：专利
| 作者 | 李占国; 刘国军; 尤明慧; 李林; 李梅; 乔忠良; 邹永刚; 邓昀; 王勇; 王晓华 |
| 发表日期 | 2010-02-10 |
| 专利号 | CN101645577A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法 |
| 英文摘要 | AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器属于第一类量子阱结构，材料和器件的研究存在相当的难度，锑化物材料存在很大的不互溶隙，在不互溶隙内的材料为亚稳态，优质材料生长难度十分大，是III－V族化合物中最复杂的材料之一，也是国际上主攻的科技关键之一。本发明提出了一种采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法。AlSb缓冲层，这种方法可以获得更高质量的晶体质量和表面平整度。AlSb缓冲层的作用是：(1)充当表面活化剂，降低了衬底与外延层之间的界面自由能，(2)充当了一个滤板的作用，抑制了位错的产生。本发明提出以AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法，制备高质量的AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器材料。 |
| 公开日期 | 2010-02-10 |
| 申请日期 | 2009-08-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92073]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李占国,刘国军,尤明慧,等. 采用AlSb缓冲层制备AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的外延方法. CN101645577A. 2010-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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