GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 长田英树; 笠井仁; 石桥惠二; 中畑成二; 京野孝史; 秋田胜史; 三浦祥纪 |
| 发表日期 | 2009-01-21 |
| 专利号 | CN101350333A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 |
| 英文摘要 | GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。 |
| 公开日期 | 2009-01-21 |
| 申请日期 | 2008-06-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 长田英树,笠井仁,石桥惠二,等. GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法. CN101350333A. 2009-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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