制造半导体器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 中畑成二; 藤原伸介 |
| 发表日期 | 2010-12-08 |
| 专利号 | CN101911258A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 制造半导体器件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供半导体器件制造方法，其中降低了片分割时的不合格发生率并提高了收率。所述半导体器件制造方法包括：位错密度评价步骤，其中测定GaN衬底中与主面交叉的截面的位错密度，并选择位错密度为预定值以下的GaN衬底；以及分割步骤，其中在由位错密度评价步骤中选择的GaN衬底上层压功能器件部分之后，将所述GaN衬底分割成片状部分。 |
| 公开日期 | 2010-12-08 |
| 申请日期 | 2008-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92085]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中畑成二,藤原伸介. 制造半导体器件的方法. CN101911258A. 2010-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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