氮化物半导体基板及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上松康二; 佐藤史隆; 弘田龙; 中畑成二; 中幡英章 |
| 发表日期 | 2006-12-13 |
| 专利号 | CN1877877A |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体基板及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。 |
| 公开日期 | 2006-12-13 |
| 申请日期 | 2006-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92092]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上松康二,佐藤史隆,弘田龙,等. 氮化物半导体基板及其制造方法. CN1877877A. 2006-12-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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