半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉山仁; 大桥健一; 山下敦子; 鹫塚章一; 赤池康彦; 吉武春二; 浅川钢児; 江头克; 藤本明 |
| 发表日期 | 2005-11-30 |
| 专利号 | CN1229877C |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体发光器件包括：具有第1表面和第2表面的衬底；以及在上述衬底的上述第1表面上形成的半导体叠层和包含一个光发射层和一个电流扩散层，其中一个光射出面具有微小凹凸，上述微小凹凸的99％以上是凸部部高度为100nm以上，底边长度为10～500nm的锥体形状。 |
| 公开日期 | 2005-11-30 |
| 申请日期 | 2003-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92094]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉山仁,大桥健一,山下敦子,等. 半导体发光器件及其制造方法. CN1229877C. 2005-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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