半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 大野启 |
| 发表日期 | 2015-09-09 |
| 专利号 | CN103477513B |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件，具备：基板(10)；形成在基板上的第一包覆层(11)；形成在第一包覆层上的第一引导层(12)；形成在第一引导层上的活性层(13)；形成在活性层上的第二引导层(14)；形成在第二引导层上的接触层(16)；形成在接触层上的由导电性金属氧化物构成的包覆电极(22)；和与包覆电极电连接的焊盘电极(23)，该半导体发光元件具有包含接触层的台面型构造(20)。包覆电极的宽度比台面型构造的宽度大。包覆电极覆盖台面型构造的上表面以及侧面并且与接触层电连接。 |
| 公开日期 | 2015-09-09 |
| 申请日期 | 2013-02-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92095]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野启. 半导体发光元件. CN103477513B. 2015-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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