氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡晓东 ; 张国义; 章蓓; 杨志坚; 康香宁; 李睿; 陈伟华; 赵璐冰; 李丁
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| 发表日期 | 2008-09-03 |
| 专利号 | CN101257080A |
| 著作权人 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。 |
| 公开日期 | 2008-09-03 |
| 申请日期 | 2008-03-11 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92099]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学东莞光电研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡晓东,张国义,章蓓,等. 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法. CN101257080A. 2008-09-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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