半导体光元件
文献类型：专利
| 作者 | 境野刚 |
| 发表日期 | 2010-08-25 |
| 专利号 | CN101814696A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体光元件 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体光元件。在p型InP衬底(10)上依次层叠有p型InP包层(12)、有源层(14)、n型InP包层(16)及n型InP层(18)。在n型InP包层(16)及n型InP层(18)中沿着光波导方向形成有衍射光栅(20)。相向的出射端面(36)和后端面(38)的光的反射率为非对称。有源层(14)的光波导方向的长度L为130μm以下。衍射光栅(20)由具有1200nm以上的PL波长的物质形成。长度L与衍射光栅(20)的耦合常数κ的积即κ L为5以上且小于3.0。 |
| 公开日期 | 2010-08-25 |
| 申请日期 | 2009-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92102]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 境野刚. 半导体光元件. CN101814696A. 2010-08-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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