半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻 |
| 发表日期 | 2017-03-08 |
| 专利号 | CN104247176B |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 在本发明的半导体发光元件中，在半导体基板(300)上，第1导电型的第1包覆层(312)、量子阱活性层(314)、第2导电型的第2包覆层(316)依次被层叠。在第2包覆层(316)，通过脊形条纹来形成波导。在将射出激光的前端面处的脊形条的宽度设为Wf，将与前端面相反的一侧的后端面处的脊形条的宽度设为Wr，将前端面的反射率设为Rf，将后端面的反射率设为Rr时，具有Rf＜Rr以及Wf＞Wr的关系。在波导中，基本横模、1次高次横模、2次高次横模以及3次高次横模被导波。 |
| 公开日期 | 2017-03-08 |
| 申请日期 | 2013-03-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92104]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻. 半导体发光元件. CN104247176B. 2017-03-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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