半导体发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 吉武春二; 关口秀树; 山下敦子; 滝本一浩; 高桥幸一 |
| 发表日期 | 2003-02-05 |
| 专利号 | CN1395321A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件 |
| 英文摘要 | 一种半导体发光元件，在衬底上形成包括发光层的半导体多层膜，从衬底相反侧的面取出光，在半导体多层膜的光取出面侧表面设置多个锥体状突起物，该突起物的侧面与光取出面的交叉角度α设定为30度以上、70度以下。 |
| 公开日期 | 2003-02-05 |
| 申请日期 | 2002-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92105]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉武春二,关口秀树,山下敦子,等. 半导体发光元件. CN1395321A. 2003-02-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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