Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片
文献类型：专利
| 作者 | 三木久幸; 樱井哲朗; 奥山峰夫 |
| 发表日期 | 2005-07-13 |
| 专利号 | CN1639393A |
| 著作权人 | 丰田合成株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片 |
| 英文摘要 | 一种制造III族氮化物半导体晶体的方法，包括以0至1,000的V/III比提供III族原材料和V族原材料以在热衬底上形成并生长III族氮化物半导体的第一步骤，以及使用III族原材料和氮原材料在衬底上气相生长III族氮化物半导体晶体的第二步骤。 |
| 公开日期 | 2005-07-13 |
| 申请日期 | 2003-02-14 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92108]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 丰田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三木久幸,樱井哲朗,奥山峰夫. Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片. CN1639393A. 2005-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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