多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构
文献类型：专利
| 作者 | 倪海桥; 丁颖; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 牛智川 |
| 发表日期 | 2012-12-19 |
| 专利号 | CN102832538A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构 |
| 英文摘要 | 一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。 |
| 公开日期 | 2012-12-19 |
| 申请日期 | 2012-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪海桥,丁颖,李密锋,等. 多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构. CN102832538A. 2012-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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