一种半导体元件的生产方法
文献类型：专利
| 作者 | 厚井大明 |
| 发表日期 | 1999-04-07 |
| 专利号 | CN1213196A |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体元件的生产方法 |
| 英文摘要 | 当通过MOVPE工艺在带有皱型光栅的InP基片上依次淀积上波导层的晶体层、隔离层、MQW层时,所采用的基片加热曲线使得基片温度在短时间内达到生长温度(如2分钟),此后的温度漂移稳定在±5℃之内。在铟元素开始发生质量转移前,开始生长InGaAsP波导层。 |
| 公开日期 | 1999-04-07 |
| 申请日期 | 1998-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92113]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 厚井大明. 一种半导体元件的生产方法. CN1213196A. 1999-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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