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基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵

文献类型:专利

作者陈弘达; 吴荣汉; 杜云; 毛陆虹; 唐君; 裴为华; 梁琨
发表日期2004-08-04
专利号CN1518117A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵
英文摘要一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件,列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同,其中包括:一衬底;一布拉格反射镜,该布拉格反射镜制作在衬底上;一多量子阱光吸收区,该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上,该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积;一高反布拉格反射镜,该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上,该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同;正电极制作在高反布拉格反射镜上;负电极制作在布拉格反射镜上,并在多量子阱光吸收区的一侧;三氧化硅绝缘层、淀积在器件表面。
公开日期2004-08-04
申请日期2003-01-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92116]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,吴荣汉,杜云,等. 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵. CN1518117A. 2004-08-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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