基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵
文献类型:专利
作者 | 陈弘达; 吴荣汉; 杜云; 毛陆虹; 唐君; 裴为华; 梁琨 |
发表日期 | 2004-08-04 |
专利号 | CN1518117A |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 |
英文摘要 | 一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件,列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同,其中包括:一衬底;一布拉格反射镜,该布拉格反射镜制作在衬底上;一多量子阱光吸收区,该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上,该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积;一高反布拉格反射镜,该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上,该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同;正电极制作在高反布拉格反射镜上;负电极制作在布拉格反射镜上,并在多量子阱光吸收区的一侧;三氧化硅绝缘层、淀积在器件表面。 |
公开日期 | 2004-08-04 |
申请日期 | 2003-01-17 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92116] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,吴荣汉,杜云,等. 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵. CN1518117A. 2004-08-04. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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