基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵
文献类型：专利
| 作者 | 陈弘达; 吴荣汉; 杜云; 毛陆虹; 唐君; 裴为华; 梁琨 |
| 发表日期 | 2004-08-04 |
| 专利号 | CN1518117A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 |
| 英文摘要 | 一种基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵器件，列阵中的每个光调制器/探测器的结构相同，其中包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多量子阱光吸收区制作在布拉格反射镜上，该多量子阱光吸收区的面积小于布拉格反射镜的面积；一高反布拉格反射镜，该高反布拉格反射镜制作在多量子阱光吸收区上，该高反布拉格反射镜的面积与多量子阱光吸收区的面积相同；正电极制作在高反布拉格反射镜上；负电极制作在布拉格反射镜上，并在多量子阱光吸收区的一侧；三氧化硅绝缘层、淀积在器件表面。 |
| 公开日期 | 2004-08-04 |
| 申请日期 | 2003-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92116]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,吴荣汉,杜云,等. 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵. CN1518117A. 2004-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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