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5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法

文献类型:专利

作者温演声
发表日期2017-12-15
专利号CN107482470A
著作权人广东格斯泰气密元件有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法
英文摘要本发明公开了一种5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座。包括基座体,所述基座体上安装有支撑件,一印刷电路板装于所述支撑件中,所述印刷电路板上设有第一激光器芯片与第二激光器芯片,所述印刷电路板以银浆印刷混合微波电路及以帕尔帖浆料印刷TEC电路,二个用于激光器输入电流监测的探测器PD安装于基座体上,在基座体中还装有50欧姆高速调制电信号输入引脚、探测器PD输入端引脚、TEC电路的输入端引脚、接地输出引脚。本发明还公开了其制备方法。本发明实现单一激光器TO封装达到40GHz的带宽。从而大幅降低成本并实现小型化的目的,并实现和现有的光器件标准兼容,有效推进高速光器件的5G网络的普及速度。
公开日期2017-12-15
申请日期2017-07-20
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92127]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位广东格斯泰气密元件有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
温演声. 5G通讯20GHz激光器双芯片封装基座及其制造方法. CN107482470A. 2017-12-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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