半导体元件的制造方法、半导体元件
文献类型：专利
| 作者 | 土屋裕彰; 山口晴央; 中井荣治 |
| 发表日期 | 2017-12-29 |
| 专利号 | CN107528215A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体元件的制造方法、半导体元件 |
| 英文摘要 | 本发明的目的在于，提供能够无不良影响地抑制n连接的半导体元件的制造方法和通过该方法制造的半导体元件。具备下述工序：台面部形成工序，形成台面部，该台面部在衬底的上方具有p型层、该p型层的上方的有源层及该有源层的上方的n型层；电流限制部形成工序，形成电流限制部，该电流限制部在该台面部的左右具有p型电流阻挡层、该p型电流阻挡层的上方的n型电流阻挡层及该n型电流阻挡层的上方的i型或p型的电流阻挡层；以及p型化工序，对该i型或p型的电流阻挡层、该n型电流阻挡层的上侧的部分及该n型层的左右的部分进行p型杂质的气相扩散或固相扩散，使该n型电流阻挡层的上侧的部分和该n型层的左右的部分成为p型半导体。 |
| 公开日期 | 2017-12-29 |
| 申请日期 | 2017-06-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92132]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土屋裕彰,山口晴央,中井荣治. 半导体元件的制造方法、半导体元件. CN107528215A. 2017-12-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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