InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 郭志友; 侯玉菲; 孙慧卿; 汪鑫; 张秀; 龚星; 徐智鸿; 刘天意 |
| 发表日期 | 2018-01-12 |
| 专利号 | CN107579432A |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种InGaN/AlInN量子阱激光器，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下包覆层、下V型波导层、有源区、电子阻挡层、上V型波导层、上包覆层、欧姆接触层和电极，所述下V型波导层和上V型波导层均为AlGaN材料，所述有源区为InGaN/AlInN量子阱层。所述InGaN/AlInN量子阱激光器以AlGaN材料为波导层、有源区以AlInN材料作为垒层、InGaN作为阱层，降低了材料的晶格失配，有源区中极化现象弱，极化场和腔面损耗小，阀值电流低，量子阱激光器的光学性能优异。 |
| 公开日期 | 2018-01-12 |
| 申请日期 | 2017-10-26 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭志友,侯玉菲,孙慧卿,等. InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法. CN107579432A. 2018-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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