一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法
文献类型：专利
| 作者 | 曹薇; 汤学胜; 胡毅; 马卫东 |
| 发表日期 | 2018-01-19 |
| 专利号 | CN107611774A |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法。其中结构包括在硅衬底上制作有硅基微环谐振器、背光探测器和硅基耦合输出波导，谐振器通过高分子聚合物键合到硅基微环谐振器的波导正上方；半导体制冷器设置在硅衬底底部对应与硅基微环谐振器所在区域；硅基微环谐振器的波导下方与硅基耦合输出波导的中间区域建立光信号耦合结构；所述硅基耦合输出波导的一端为出光面，所述硅基耦合输出波导的另一端与所述背光探测器耦合。本发明对有源区在硅光芯片上方，合理利用了空间的深度，空间利用效率更高，做出来的光器件体积更小；集成度高，硅光芯片工艺和CMOS工艺兼容；具有可加工性和可量产性。 |
| 公开日期 | 2018-01-19 |
| 申请日期 | 2017-09-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹薇,汤学胜,胡毅,等. 一种硅基集成可调谐激光器结构及其控制方法. CN107611774A. 2018-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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