电吸收调制激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王健; 罗毅; 孙长征; 熊兵 |
| 发表日期 | 2018-01-19 |
| 专利号 | CN107611772A |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电吸收调制激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出一种电吸收调制激光器及其制备方法，该电吸收调制激光器由集成在同一衬底上的分布反馈(DFB)激光器和电吸收(EA)组成，关键结构包含光栅、波导和输出光端面，其特征在于：DFB激光器的光栅为表面光栅，特别是侧向耦合表面光栅，位于电吸收调制激光器条形波导的欧姆接触层和波导上限制层两侧，从外延片表面向下延伸到波导芯层上表面；输出光端面为刻蚀形成的垂直于外延片表面的端面，无需解理就可以进行端面镀膜。本发明的优点在于：只需一次外延，且无需解理衬底就可以进行电吸收调制激光器的端面镀膜，大大简化了制作工艺，并有利于在电吸收调制激光器和其他光电子器件在同一衬底上进行集成。 |
| 公开日期 | 2018-01-19 |
| 申请日期 | 2017-09-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92148]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王健,罗毅,孙长征,等. 电吸收调制激光器及其制备方法. CN107611772A. 2018-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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