发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻 |
| 发表日期 | 2018-01-19 |
| 专利号 | CN107615602A |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 发光元件 |
| 英文摘要 | 本公开的发光元件具备：GaN基板(11)；被形成在GaN基板(11)上的、由n型的InxGa1‑xN(0＜x≤1)构成的第一失真校正层(12)；以及被形成在第一失真校正层(12)上的、由n型的In1‑a‑bGaaAlbN构成的、且具有(a/0.98)+(b/0.8)≥1、(a/02)+(b/0.85)≤1以及(a/03)+(b/0.68)≥1的关系的第一低折射率层(13)。而且，还具备：被形成在第一低折射率层(13)上的、由n型的AlzGa1‑zN(0.03≤z≤0.06)构成的、且折射率比第一低折射率层(13)高的第一包覆层(14)；以及被形成在第一包覆层(14)上的激活层(16)。 |
| 公开日期 | 2018-01-19 |
| 申请日期 | 2016-05-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92149]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻. 发光元件. CN107615602A. 2018-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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