基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法
文献类型：专利
| 作者 | 冯朋; 肖希; 王磊; 李淼峰; 杨奇; 余少华 |
| 发表日期 | 2018-01-26 |
| 专利号 | CN107634033A |
| 著作权人 | 武汉邮电科学研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法，涉及硅与非硅材料的异质集成领域。该方法包括：在非硅衬底上通过外延，光刻，刻蚀等工艺制作出共面电极非硅芯片；然后在非硅芯片的晶圆正面注入热固性聚合物溶剂并固化，通过选择性腐蚀工艺去掉衬底与缓冲层，并通过光刻溅射等工艺形成键合金属层；利用集成了非硅芯片台面与对版标记的版图通过CMOS工艺在SOI晶圆的顶层硅上制作出硅基器件结构与键合金属层；利用集成非硅芯片与硅基芯片的版图完成对准贴合，并通过真空键合完成非硅芯片在硅基芯片上异质集成。本发明操作简单，工艺兼容性好，制作成本低，集成度高，可用于硅基平台上非硅材料功能器件的有效集成。 |
| 公开日期 | 2018-01-26 |
| 申请日期 | 2017-09-12 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92155]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉邮电科学研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯朋,肖希,王磊,等. 基于CMOS硅基平台的低成本多芯片选区异质集成方法. CN107634033A. 2018-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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