Si基垂直腔面发射芯片
文献类型：专利
| 作者 | 张子旸; 王旭 ; 王美芳; 刘永刚
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| 发表日期 | 2018-03-02 |
| 专利号 | CN107749565A |
| 著作权人 | 江苏点晶光电科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Si基垂直腔面发射芯片 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种Si基垂直腔面发射芯片，结构包括从下到上排列的n型电极，衬底，缓冲层，位于衬底上的下分布式布拉格反射镜，位于下分布式布拉格反射镜上的有源区，位于有源区上的上分布式布拉格反射镜，位于上分布式布拉格反射镜上的p型电极以及位于圆柱形台面周围的SiO2限制层。本发明在n型硅基板上制备硅掺杂的(AlxGa1‑x)2O3、(AlyGa1‑y)2O3叠层结构作为下分布式布拉格反射镜，并采用稀土掺杂的Ga2O3作为n型发光材料，以GaAs、AlGaAs或InP、InGaAsP叠层结构作为上分布式布拉格反射镜。作为本发明所述的硅基垂直腔面面发射光源，具有高热稳定性，高化学稳定性，且制备方法简单，可靠性高。 |
| 公开日期 | 2018-03-02 |
| 申请日期 | 2017-11-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92169]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏点晶光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张子旸,王旭,王美芳,等. Si基垂直腔面发射芯片. CN107749565A. 2018-03-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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