太赫兹量子级联激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 角野努; 斋藤真司; 山根统 |
| 发表日期 | 2018-03-13 |
| 专利号 | CN107800040A |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 太赫兹量子级联激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供能够作为两个红外线的差频而发出太赫兹波的量子级联激光装置。太赫兹量子级联激光装置具有基板、半导体层叠体以及第一电极。半导体层叠体具有能够通过次能带间光学跃迁而发出红外线激光且设置在基板上的活性层、以及设置在活性层之上的第一包层，半导体层叠体设置有脊形波导路。在第一包层的上表面设置有沿着脊形波导路的延伸方向分离地设置的第一分布反馈区域以及第二分布反馈区域。第一电极设置在第一包层的上表面。第一分布反馈区域的平面尺寸小于第二分布反馈区域的平面尺寸。 |
| 公开日期 | 2018-03-13 |
| 申请日期 | 2017-09-01 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野努,斋藤真司,山根统. 太赫兹量子级联激光装置. CN107800040A. 2018-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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