GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙慧卿; 张秀; 郭志友; 侯玉菲; 汪鑫; 龚星; 徐智鸿; 刘天意 |
| 发表日期 | 2018-03-16 |
| 专利号 | CN107809057A |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0 |
| 公开日期 | 2018-03-16 |
| 申请日期 | 2017-10-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92177]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙慧卿,张秀,郭志友,等. GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法. CN107809057A. 2018-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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