一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源
文献类型：专利
| 作者 | 张保平; 梅洋; 许荣彬; 翁国恩; 应磊莹; 郑志威 |
| 发表日期 | 2018-03-30 |
| 专利号 | CN107863688A |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源 |
| 英文摘要 | 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源，涉及发射光源。设有外延层，所述外延层从下至上依次为：衬底、下介质膜分布布拉格反射镜、ITO电流扩展层、p型Cr/Au电极、SiO2电流限制层、p型GaN、量子点有源层、n型GaN、n型Cr/Au电极和上介质膜分布布拉格反射镜。使用具有不同尺寸量子点作为有源区，得到了可调谐的增益特性，结合谐振腔效应，得到了发光波长在强耦合模式之间可调谐的输出特性。发光波长调谐范围从黄绿光到紫光，实现了大范围调谐。相比于以往制作可调谐发光器件的方法，不需要复杂的材料生长以及期间制作工艺，大大简化了工艺过程以及器件制作难度，并且提高了发光波长的调谐范围。 |
| 公开日期 | 2018-03-30 |
| 申请日期 | 2017-11-03 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92184]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,梅洋,许荣彬,等. 一种发光波长可调谐的GaN基垂直腔面发射光源. CN107863688A. 2018-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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