基于SOI结构的热不敏感激光器
文献类型：专利
| 作者 | 李伟龙; 张永干; 孙雨舟 |
| 发表日期 | 2018-05-25 |
| 专利号 | CN108075355A |
| 著作权人 | 苏州旭创科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于SOI结构的热不敏感激光器 |
| 英文摘要 | 本申请揭示了一种基于SOI结构的热不敏感激光器，包括SOI结构、位于SOI结构上且对应设置的第一反射结构和第二反射结构、以及位于SOI结构上第一反射结构和第二发射结构之间的激光发射器件及负温度系数波导，SOI结构包括位于底层的硅衬底、中间的绝缘层及位于顶层的硅，顶层的硅在激光发射器件和负温度系数波导之间形成有硅波导，负温度系数波导的至少一侧形成有二氧化硅波导，激光发射器件作为激光器的有源区，负温度系数波导用于对激光器的正向折射率变化进行补偿，以使光线的波长稳定在预设范围内。本申请的激光器具有热不敏感的特征，通过负温度系数波导进行补偿，能调节整个激光器中的折射率在不同的温度下保持不变，激光器的输出波长保持不变。 |
| 公开日期 | 2018-05-25 |
| 申请日期 | 2016-11-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92209]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 苏州旭创科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李伟龙,张永干,孙雨舟. 基于SOI结构的热不敏感激光器. CN108075355A. 2018-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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