电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法
文献类型：专利
| 作者 | 黄永光; 张瑞康; 王宝军; 朱洪亮 |
| 发表日期 | 2018-07-03 |
| 专利号 | CN108242763A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种电吸收调制激光器(EML)集成器件的整片结构及其制作测试方法，属于半导体光电子领域，EML集成器件整片结构为格栅构造，在晶圆上外延生长激光器的多量子阱(MQW)和调制器的MQW，EML器件单元包括激光器MQW和调制器MQW而阵列排布；围绕EML器件单元设置沟槽结构，其侧壁面为镜面而其底部为减反射面；在EML器件单元的前/后端面分别形成有减/高反射介质膜，该前/后端面为调制器MQW/激光器MQW一侧的端面。本整片结构在测试时，不需要巴条解理，利用沟槽侧壁镜面和沟槽底部减反射面的组合(进一步减/高反射介质膜与减反射面的组合)，实现该EML器件单元的有效出光，不仅使测试数据诊断和收集更快捷，而且降低EML集成器件制作成本。 |
| 公开日期 | 2018-07-03 |
| 申请日期 | 2018-03-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92220]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄永光,张瑞康,王宝军,等. 电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法. CN108242763A. 2018-07-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。