电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰; 黄永清; 任晓敏 |
| 发表日期 | 2018-08-17 |
| 专利号 | CN108418095A |
| 著作权人 | 北京邮电大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n‑InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。 |
| 公开日期 | 2018-08-17 |
| 申请日期 | 2018-02-06 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92229]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,胡海洋,成卓,等. 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法. CN108418095A. 2018-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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