一种高质量GaN薄膜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 贾伟; 樊腾; 李天保; 仝广运; 董海亮; 许并社 |
| 发表日期 | 2018-09-14 |
| 专利号 | CN108538977A |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种高质量GaN薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域，可解决现有GaN薄膜位错多、压力大、结构不稳定、工艺复杂的问题，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层、SiNx钝化层、第二非掺杂GaN层，所述SiNx掩膜层生长结束后进行原位脉冲分解。由于SiNx掩膜层会覆盖GaN表面的非位错处，在第一非掺杂GaN层原位脉冲分解过程中，由于裸露的位错处热稳定性相对较差，会优先分解，进而形成多孔状结构，再生长SiNx钝化层、第二非掺杂GaN层，最终制备出高质量GaN薄膜。本发明的制备方法大大提高了薄膜的晶体质量。 |
| 公开日期 | 2018-09-14 |
| 申请日期 | 2018-03-16 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92240]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾伟,樊腾,李天保,等. 一种高质量GaN薄膜及其制备方法. CN108538977A. 2018-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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