基于模斑转换结构的超辐射发光二极管
文献类型：专利
| 作者 | 郭文涛; 谭满清; 熊迪; 赵亚利; 曹营春; 万丽丽; 刘珩 |
| 发表日期 | 2018-10-02 |
| 专利号 | CN108616034A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于模斑转换结构的超辐射发光二极管 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种基于模斑转换结构的超辐射发光二极管，包括：n‑InP衬底；无源波导层，设置于n‑InP衬底上；有源区，设置于无源波导层上，用于发射激光，包括应变量子阱和设置于应变量子阱上的势垒层；波导结构，设置于有源区上，所述波导结构包括：斜三角吸收区，设置于一端；增益区，紧邻斜三角吸收区设置；以及模斑转换结构，紧邻增益区设置，是宽度渐变的楔形波导结构，用于将有源区发射的激光低损耗地耦合进无源波导层；以及电极，设置于超辐射发光二极管器件上部脊结构的表面，与波导结构的增益区上下对应，用于对超辐射发光二极管进行电注入，提高了超辐射发光二极管和外接光纤的耦合效率，又提高了其偏调允差，降低了耦合封装工艺难度。 |
| 公开日期 | 2018-10-02 |
| 申请日期 | 2018-04-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92244]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭文涛,谭满清,熊迪,等. 基于模斑转换结构的超辐射发光二极管. CN108616034A. 2018-10-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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