一种整片制作和测试边发射光器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 朱洪亮; 黄永光 |
| 发表日期 | 2018-10-30 |
| 专利号 | CN108718032A |
| 著作权人 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种整片制作和测试边发射光器件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种整片制作和测试边发射光器件的方法，步骤如下：S1，在晶圆衬底上外延生长多量子阱（MQW）结构和光器件材料结构；S2，在光器件材料结构片上刻制沟槽，形成若干光器件单元；S3，在光器件单元内刻制光波导条，然后生长绝缘介质，并在光波导条两边的沟槽内填充低折射率聚合物；S4，制作正面电极并金属化；S5，在光器件单元的出光端蒸镀减反射膜、背光端蒸镀高反射膜；S6，对晶圆衬底背面制作背面电极并金属化；S7，对晶圆衬底上的光器件单元进行整片在线测试和筛选；S8，切割晶圆衬底，裂解光器件单元，进行后续封装。本发明将沟槽底部刻制成减反射面，避免了凹沟槽底部反射光对器件性能的影响，减少沟槽刻蚀深度，节约刻蚀时间。 |
| 公开日期 | 2018-10-30 |
| 申请日期 | 2018-05-18 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92256]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱洪亮,黄永光. 一种整片制作和测试边发射光器件的方法. CN108718032A. 2018-10-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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