电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 王鹏飞 ; 孟芳媛; 李召松; 于红艳; 潘教青
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| 发表日期 | 2018-11-02 |
| 专利号 | CN108736314A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，包括：在SOI衬底上沉积二氧化硅，在二氧化硅上刻蚀出周期性的矩形沟槽；腐蚀SOI衬底，在矩形沟槽的下方腐蚀出V形沟槽；在V形沟槽和矩形沟槽中生长III‑V族激光器外延结构并将顶部抛光；刻蚀III‑V族激光器外延结构和矩形沟槽两边的二氧化硅，形成FP腔；沉积二氧化硅隔离层，刻蚀掉FP腔端面以外的二氧化硅隔离层，使二氧化硅隔离层覆盖在FP腔端面上；制备P电极金属图形和N电极金属图形；在FP腔上表面、P电极金属图形和二氧化硅隔离层之间的III‑V族激光器外延结构上制备二阶耦合光栅。本公开电注入硅基III‑V族纳米激光器阵列的制备方法，工艺简单，易于实现，制造成本低。 |
| 公开日期 | 2018-11-02 |
| 申请日期 | 2018-06-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李亚节,周旭亮,王梦琦,等. 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法. CN108736314A. 2018-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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