一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法
文献类型：专利
| 作者 | 汪莱; 王磊; 余佳东; 郝智彪; 罗毅 |
| 发表日期 | 2018-11-06 |
| 专利号 | CN108767659A |
| 著作权人 | 清华大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法 |
| 英文摘要 | 本公开提供了一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法，包括：制备GaN自支撑衬底；在GaN自支撑衬底上形成二维材料层；在二维材料层上外延生长n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上生长n‑InGaN波导层、InGaN多量子阱或者量子点有源区、p‑AlGaN电子阻挡层、p‑InGaN波导层、p‑AlGaN光限制层和p‑GaN接触层。 |
| 公开日期 | 2018-11-06 |
| 申请日期 | 2018-06-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92260]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 清华大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪莱,王磊,余佳东,等. 一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法. CN108767659A. 2018-11-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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