中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张一; 牛智川; 张宇; 徐应强; 杨成奥; 谢圣文; 邵福会; 尚金铭 |
| 发表日期 | 2018-12-11 |
| 专利号 | CN108988125A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种中红外超晶格带间跃迁激光器，包括：衬底，为N型镓锑材料；下限制层，制备于衬底上，为N型掺杂的AlGaAsSb；下波导层，制备于下限制层上，为非掺杂的AlGaInAsSb；有源区，制备于下波导层上，为超晶格带间跃迁有源区，所述有源区包括：输运电子的InAs/AlSb超晶格；以及输运空穴的InGaSb/AlSb超晶格；上波导层，制备于有源区上，为非掺杂的AlGaInAsSb；上限制层，制备于上波导层上，P型掺杂的AlGaAsSb；以及上接触层，制备于上限制层上，为P型掺杂的GaSb；所述激光器能够缓解量子阱激光器长波长波段容易受到俄歇复合的限制的问题，以及带间级联激光器由于采用W型有源区结构，导致其增益较小，并且其本身对于电子和空穴的限制作用不强导致其较难实现短波长工作等技术问题。 |
| 公开日期 | 2018-12-11 |
| 申请日期 | 2018-07-27 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92289]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张一,牛智川,张宇,等. 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法. CN108988125A. 2018-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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