一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 曲轶; 彭鸿雁 |
| 发表日期 | 2018-12-18 |
| 专利号 | CN109038220A |
| 著作权人 | 海南师范大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法是一种发光波长在3微米波段的InGaAs量子点结构及其材料制备方法，属于半导体材料制造技术领域。采用外延技术生长各外延层；制备步骤包括：在GaAs衬底上依次生长GaAs过渡层、InxGa1‑xAs过渡层、InAs量子点层、InxGa1‑xAs应变层、GaAs势垒层、GaAs覆盖层；InAs量子点层分两步生长，第一步，生长温度为470~490℃范围内的一个温度，生长厚度为2.0~3.0ML，第二步与第一步在时间上相隔20~60s，在这一时间间隔内将生长温度提升到490~510℃，然后在这一温度范围内的一个温度下继续生长，生长厚度为0.5~5ML。该方法制备出3微米波段InGaAs量子点材料，具有良好的量子点尺寸均匀性，易于控制，工艺稳定。 |
| 公开日期 | 2018-12-18 |
| 申请日期 | 2018-08-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92296]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 海南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李林,曾丽娜,李再金,等. 一种长波长InGaAs量子点结构及其制备方法. CN109038220A. 2018-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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