氮化物类发光元件
文献类型：专利
| 作者 | 高山彻; 中谷东吾; 狩野隆司; 左文字克哉 |
| 发表日期 | 2018-12-21 |
| 专利号 | CN109075530A |
| 著作权人 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物类发光元件 |
| 英文摘要 | 一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。 |
| 公开日期 | 2018-12-21 |
| 申请日期 | 2017-04-04 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92301]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下知识产权经营株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山彻,中谷东吾,狩野隆司,等. 氮化物类发光元件. CN109075530A. 2018-12-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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