一种半导体芯片及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵建宜; 余斯佳; 岳爱文; 杨帆; 胡忞远; 陈如山 |
| 发表日期 | 2018-12-21 |
| 专利号 | CN109066291A |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种半导体芯片及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体芯片及其制作方法，该半导体芯片包括：衬底、依次层叠设置在衬底上的隔离层以及功能层；隔离层包括下悬浮层以及牺牲层，下悬浮层设置在衬底上，牺牲层设置在下悬浮层上；隔离层还包括悬浮区域，下悬浮层以及牺牲层沿悬浮区域的周向设置；其中，悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度。本发明的半导体芯片的功能层通过悬浮区域悬浮在衬底上，由于悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度使得功能层与衬底之间的空气间隔较大，具有较好的隔热性，有效减少了热量通过衬底耗散的情况的发生，从而将大部分热量传导至热调谐电极，提高了芯片的热调谐效率。 |
| 公开日期 | 2018-12-21 |
| 申请日期 | 2018-08-30 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92302]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵建宜,余斯佳,岳爱文,等. 一种半导体芯片及其制作方法. CN109066291A. 2018-12-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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