一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
文献类型：专利
| 作者 | 罗玉辉; 程元红; 邝智豪; 黄逸生 |
| 发表日期 | 2019-01-15 |
| 专利号 | CN109216183A |
| 著作权人 | 深亮智能技术(中山)有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地，所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层，然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层；使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻，蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻，蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。 |
| 公开日期 | 2019-01-15 |
| 申请日期 | 2018-08-22 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92319]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 深亮智能技术(中山)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗玉辉,程元红,邝智豪,等. 一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用. CN109216183A. 2019-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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