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一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用

文献类型:专利

作者罗玉辉; 程元红; 邝智豪; 黄逸生
发表日期2019-01-15
专利号CN109216183A
著作权人深亮智能技术(中山)有限公司
国家中国
文献子类发明申请
其他题名一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用
英文摘要本发明公开了一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用。具体地,所述工艺是在砷化镓片表面淀积SiO2薄膜层,然后光刻并腐蚀出SiO2掩模层;使用感应耦合等离子体蚀刻技术在SiO2掩模层的掩蔽下对砷化镓进行蚀刻,蚀刻气体为是氯气和三氯化硼。本发明不产生侧向蚀刻,蚀刻出来的砷化镓侧壁和底面比较光滑。
公开日期2019-01-15
申请日期2018-08-22
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92319]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位深亮智能技术(中山)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
罗玉辉,程元红,邝智豪,等. 一种砷化镓的干法蚀刻工艺及其应用. CN109216183A. 2019-01-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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