基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 谢圣文; 牛智川; 张宇; 徐应强; 邵福会; 杨成奥; 张一; 尚金铭; 黄书山; 袁野 |
| 发表日期 | 2019-01-15 |
| 专利号 | CN109217109A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本公开提供一种基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法，该基于数字合金势垒的量子阱结构包括：阱层和势垒层，阱层为体材料结构；势垒层分别形成于阱层的上下表面上，其为数字合金结构。本公开提供的基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法中量子阱结构中势垒层采用数字合金结构，阱层采用体材料结构，此种量子阱结构结合了数字合金和体材料两者的优势：数字合金的能带区别于体材料的能带，更大的电子带阶和空穴带阶可以更有效地将电子和空穴限制在阱内，减小了载流子的泄露，提高了量子效率。 |
| 公开日期 | 2019-01-15 |
| 申请日期 | 2018-08-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92320]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢圣文,牛智川,张宇,等. 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法. CN109217109A. 2019-01-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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