Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 舒斌; 张利锋; 高玉龙; 胡辉勇; 王斌; 王利明; 韩本光; 张鹤鸣 |
| 发表日期 | 2019-01-18 |
| 专利号 | CN109244829A |
| 著作权人 | 西安电子科技大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法。该方法包括：在衬底的表面生长第一布拉格反射镜层；在第一布拉格反射镜层的表面生长第一n型Ge层；在第一n型Ge层的表面生长第二n型Ge层；在第二n型Ge层的表面生长GeSn层；在GeSn层的表面生长第一p型Ge层；在第一p型Ge层的表面生长第二p型Ge层；在第二p型Ge层的表面生长第二布拉格反射镜层；在得到的结构上刻蚀出第一柱体和第二柱体；在第一台阶及所述第二台阶形成电极；最终形成Ge/GeSn异质结激光器。本发明通过采用GeSn材料代替传统的单一Ge材料，提高了发光效率；通过采用P‑I‑N结构降低了阈值电流密度；另外，本发明的制备方法工艺简单。 |
| 公开日期 | 2019-01-18 |
| 申请日期 | 2018-09-17 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92322]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安电子科技大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒斌,张利锋,高玉龙,等. Ge/GeSn异质结激光器及其制备方法. CN109244829A. 2019-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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