半导体微腔激光器的制备方法和半导体
文献类型：专利
| 作者 | 张昭宇; 刘秀; 方铉; 周陶杰; 项国洪; 项博媛 |
| 发表日期 | 2019-01-29 |
| 专利号 | CN109286131A |
| 著作权人 | 香港中文大学(深圳) |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体微腔激光器的制备方法和半导体 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体微腔激光器的制备方法和半导体，该方法包括：对基片的衬底层进行预处理，得到第一基片；在第一基片的衬底层上生成硬掩膜，得到第二基片；利用旋涂机对第二基片旋涂电子胶，得到第三基片；按照预设图案对第三基片中的电子胶进行书写，得到第四基片；对第四基片上暴露的硬掩膜进行刻蚀，并对刻蚀后的电子胶进行清洗，得到第五基片；按照预设图案对第五基片进行刻蚀，并清洗刻蚀后的硬掩膜，得到第六基片；对第六基片进行柱状架空结构刻蚀，得到半导体微腔激光器。采用分子束外延方式生长半导体材料，随后进行RTA处理，最后通过ICP刻蚀方式获得腔体尺寸可调的微腔激光器，这种制备方式简捷并节省了资源。 |
| 公开日期 | 2019-01-29 |
| 申请日期 | 2018-11-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92326]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 香港中文大学(深圳) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张昭宇,刘秀,方铉,等. 半导体微腔激光器的制备方法和半导体. CN109286131A. 2019-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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